半導體測試標準：

半導體可靠性測試主要分為環(huán)境試驗和壽命試驗兩個(gè)大項，其中環(huán)境試驗中包含了機械試驗（振動(dòng)試驗、沖擊試驗、離心加速試驗、引出線(xiàn)抗拉強度試驗和引出線(xiàn)彎曲試驗）、引出線(xiàn)易焊性試驗、溫度試驗（低溫、高溫和溫度交變試驗）、濕熱試驗（恒定濕度和交變濕熱）、特殊試驗（鹽霧試驗、霉菌試驗、低氣壓試驗、靜電耐受力試驗、超高真空試驗和核輻射試驗）；而壽命試驗包含了長(cháng)期壽命試驗（長(cháng)期儲存壽命和長(cháng)期工作壽命）和加速壽命試驗（恒定應力加速壽命、步進(jìn)應力加速壽命和序進(jìn)應力加速壽命），其中可以有選擇的做其中一些。

1.溫度下限工作試驗:受試樣品先加電運行測試程序進(jìn)行初試檢測。在受試樣品不工作的條件下，將箱內溫度逐漸降到0℃,待溫度穩定后，加電運行測試程序5h，受試樣品功能與操作應正常，試驗完后，待箱溫度回到室溫，取出樣品，在正常大氣壓下恢復2h。

推薦檢驗標準：受試樣品功能與操作應正常，外觀(guān)無(wú)明顯偏差。

2.低溫儲存試驗將樣品放入低溫箱，使箱溫度降到-20℃，在受試樣品不工作的條件下存放16h，取出樣品回到室溫，再恢復2h，加電運行測試程序進(jìn)行后檢驗，受試樣品功能與操作應正常，外觀(guān)無(wú)明顯偏差。為防止試驗中受試樣品結霜和凝露，允許將受試樣品用聚乙稀薄膜密封后進(jìn)行試驗，必要時(shí)還可以在密封套內裝吸潮劑。

推薦檢驗標準：受試樣品功能與操作應正常，外觀(guān)無(wú)明顯偏差。

3.溫度上限工作試驗受試樣品先進(jìn)行初試檢測。在受試樣品不工作的條件下，將箱溫度逐漸升到40℃，待溫度穩定后，加電運行系統診斷程序5h，受試樣品功能與操作應正常，試驗完后，待箱溫度回到室溫，取出樣品，在正常大氣壓下恢復2h。

快速溫度變化試驗箱滿(mǎn)足標準

快速溫度變化試驗箱應符合的標準有:

1.GB/T10589-1989高溫實(shí)驗箱技術(shù)條件，

2.GB/T10586-1989濕熱實(shí)驗箱技術(shù)條件，

3.GB/T10592-1989崎嶇溫實(shí)驗箱技術(shù)條件，

4.GB2423.1-89高溫實(shí)驗Aa，Ab ;

5.GB2423.3-93(IEC68-2-3)恒定濕熱實(shí)驗Ca;

6.MIL-STD810D 要領(lǐng) 502.2;

7.GB/T2423.4-93(MIL-STD810)要領(lǐng)507.2程序3;

8.GJB150.9-8 濕熱實(shí)驗;

9.GB2423.34-86、MIL-STD883C要領(lǐng)1004.2溫濕度組合循環(huán)實(shí)驗

技術(shù)參數：

溫度范圍-70℃ -- +150℃     -70℃ -- +200℃

溫度范圍-40℃--- +85℃

溫度變化5℃/min   10℃/min  15℃/min   20℃/min

濕度20--98％RH

溫度波動(dòng)：±0.5℃

溫度偏差：±2.0℃