半導體測試標準:
半導體可靠性測試主要分為環(huán)境試驗和壽命試驗兩個(gè)大項,其中環(huán)境試驗中包含了機械試驗(振動(dòng)試驗、沖擊試驗、離心加速試驗、引出線(xiàn)抗拉強度試驗和引出線(xiàn)彎曲試驗)、引出線(xiàn)易焊性試驗、溫度試驗(低溫、高溫和溫度交變試驗)、濕熱試驗(恒定濕度和交變濕熱)、特殊試驗(鹽霧試驗、霉菌試驗、低氣壓試驗、靜電耐受力試驗、超高真空試驗和核輻射試驗);而壽命試驗包含了長(cháng)期壽命試驗(長(cháng)期儲存壽命和長(cháng)期工作壽命)和加速壽命試驗(恒定應力加速壽命、步進(jìn)應力加速壽命和序進(jìn)應力加速壽命),其中可以有選擇的做其中一些。
1.溫度下限工作試驗:受試樣品先加電運行測試程序進(jìn)行初試檢測。在受試樣品不工作的條件下,將箱內溫度逐漸降到0℃,待溫度穩定后,加電運行測試程序5h,受試樣品功能與操作應正常,試驗完后,待箱溫度回到室溫,取出樣品,在正常大氣壓下恢復2h。
推薦檢驗標準:受試樣品功能與操作應正常,外觀(guān)無(wú)明顯偏差。
2.低溫儲存試驗將樣品放入低溫箱,使箱溫度降到-20℃,在受試樣品不工作的條件下存放16h,取出樣品回到室溫,再恢復2h,加電運行測試程序進(jìn)行后檢驗,受試樣品功能與操作應正常,外觀(guān)無(wú)明顯偏差。為防止試驗中受試樣品結霜和凝露,允許將受試樣品用聚乙稀薄膜密封后進(jìn)行試驗,必要時(shí)還可以在密封套內裝吸潮劑。
推薦檢驗標準:受試樣品功能與操作應正常,外觀(guān)無(wú)明顯偏差。
3.溫度上限工作試驗受試樣品先進(jìn)行初試檢測。在受試樣品不工作的條件下,將箱溫度逐漸升到40℃,待溫度穩定后,加電運行系統診斷程序5h,受試樣品功能與操作應正常,試驗完后,待箱溫度回到室溫,取出樣品,在正常大氣壓下恢復2h。
快速溫度變化試驗箱滿(mǎn)足標準
快速溫度變化試驗箱應符合的標準有:
1.GB/T10589-1989高溫實(shí)驗箱技術(shù)條件,
2.GB/T10586-1989濕熱實(shí)驗箱技術(shù)條件,
3.GB/T10592-1989崎嶇溫實(shí)驗箱技術(shù)條件,
4.GB2423.1-89高溫實(shí)驗Aa,Ab ;
5.GB2423.3-93(IEC68-2-3)恒定濕熱實(shí)驗Ca;
6.MIL-STD810D 要領(lǐng) 502.2;
7.GB/T2423.4-93(MIL-STD810)要領(lǐng)507.2程序3;
8.GJB150.9-8 濕熱實(shí)驗;
9.GB2423.34-86、MIL-STD883C要領(lǐng)1004.2溫濕度組合循環(huán)實(shí)驗
技術(shù)參數:
溫度范圍-70℃ -- +150℃ -70℃ -- +200℃
溫度范圍-40℃--- +85℃
溫度變化5℃/min 10℃/min 15℃/min 20℃/min
濕度20--98%RH
溫度波動(dòng):±0.5℃
溫度偏差:±2.0℃
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